Наукова періодика України - НБУВ Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського

Простий
пошук

Розширений
пошук

Покажчики

Професійний
пошук

Рубрикатор
НБУВ

Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски

Журнали та продовжувані видання

Автореферати дисертацій

Реферативна база даних

Наукова періодика України

Тематичний навігатор

Авторитетний файл імен осіб

	Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox"

Вид пошуку

Повнотекстовий пошук

Знайдено в інших БД:

Реферативна база даних (8)

Список видань за алфавітом назв:

A B C D E F G H I J L M N O P R S T U V W

А Б В Г Ґ Д Е Є Ж З И І К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Э Ю Я

Авторський покажчик Покажчик назв публікацій

Пошуковий запит: (<.>A=Душейко М$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 14 Представлено документи з 1 до 14
1.	Клюй М. І. Рекомбінаційні властивості модифікованих кремнієвих шарів, отриманих методом газодетонаційного осадження [Електронний ресурс] / М. І. Клюй, А. В. Макаров, В. П. Темченко, М. О. Семененко, Л. В. Авксєнтьєва, В. А. Скришевський, М. Г. Душейко // Прикладная радиоэлектроника. - 2014. - Т. 13, № 4. - С. 401-405. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Prre_2014_13_4_8 Попередній перегляд: Завантажити - 1.228 Mb Зміст випуску Цитування
2.	Гетьман А. В. Радіаційна стійкість кремнієвого фотоперетворювача [Електронний ресурс] / А. В. Гетьман, М. Г. Душейко, А. В. Іващук, М. С. Фадєєв, Ю. І. Якименко // Electronics and communications. - 2015. - Т. 20, № 2. - С. 23-26. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2015_20_2_5 Представлені результати розробки та проведення дослідження кремнієвих сонячних елементів космічного застосування. У сфері розробки енергосистем для космічних апаратів зараз активно розвиваються сонячні елементи на основі А<^>3В<^>5 багатошарових структур, проте для невисоких орбіт 700 - 800 км, доцільним залишається застосування кремнієвих сонячних елементів. Дослідження на радіаційну стійкість проводились на сонячних елементах із структурою n+ - p - p+. Кремнієві сонячні елементи піддавались опроміненню електронами з енергію 7 МеВ. Щільність потоку прискорених електронів складала 3,0E+8 см<^>-2с<^>-1 в атмосфері. Накопичена доза радіації складала 100 крад (Si). Одержані результати порівнено із попередніми експериментами проведеними в лабораторії. Попередній перегляд: Завантажити - 210.036 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
3.	Попович В. І. Вплив тиску аргону в камері осадження на властивості легованих алюмінієм плівок ZnO, вирощених методом пошарового осадження при магнетронному розпиленні [Електронний ресурс] / В. І. Попович, А. І. Євтушенко, О. С. Литвин, В. Р. Романюк, В. М. Ткач, В. А. Батурин, О. Є. Карпенко, М. В. Дранчук, Л. О. Клочков, М. Г. Душейко, В. А. Карпина, Г. В. Лашкарьов // Український фізичний журнал. - 2016. - Т. 61, № 4. - С. 334-339. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2016_61_4_7 Плівки ZnO:Al осаджено на кремнієві та скляні підкладки за допомогою методу пошарового осадження в високочастотному магнетронному розпиленні за зміни тиску аргону в камері осадження від 0,5 до 2 Па. Досліджено вплив тиску аргону в камері осадження на структуру, оптичні та електричні властивості плівок ZnO:Al. Встановлено, що збільшення тиску аргону призводить до зниження рухливості електронів у прозорих провідних плівках ZnO:Al та погіршення їх провідних властивостей за рахунок розсіяння на межах зерен. Показано, що збільшення поглинання вільними носіями зі збільшенням тиску аргону призводить до зниження прозорості плівок ZnO:Al у видимій області спектра випромінювання. Попередній перегляд: Завантажити - 817.596 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
4.	Євтушенко А. І. Вплив тиску кисню на властивості тонких плівок ZnO:Al, вирощених методом пошарового росту при магнетронному розпиленні [Електронний ресурс] / А. І. Євтушенко, О. І. Биков, Л. О. Клочков, О. С. Литвин, В. М. Ткач, О. М. Куцай, С. П. Старик, В. А. Батурин, О. Ю. Карпенко, М. Г., Лашкарьов Г. В. Душейко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 4. - С. 667-674. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_4_8 Вивчено вплив тиску кисню в камері осадження на структуру, морфологію, оптичні та електричні властивості легованих алюмінієм плівок ZnO, осаджених за допомогою методу пошарового росту (МПР) у магнетронному розпиленні (МР) на скляних підкладках. Проаналізовано вплив застосування традиційного одноетапного підходу та запропонованого МПР у МР на властивості плівок ZnO, легованих алюмінієм. Встановлено, що зі зменшенням тиску кисню в камері осадження покращується структура, збільшується пропускання в видимій області спектра випромінювання та зменшується питомий опір плівок ZnO:Al. Показано, що застосування МПР у МР надає можливість виростити прозорі провідні плівки ZnO:Al з вищими робочими параметрами, у порівнянні з плівками, сконденсованими традиційним підходом в МР. За допомогою МПР вирощено плівки ZnO:Al з електричним опором 6,1x10<^>-4 Ом-см і пропусканням у видимій області спектра випромінювання на рівні 95 %, що є перспективним для використання їх в приладах фотовольтаїки. Попередній перегляд: Завантажити - 544.853 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
5.	Кутова О. Ю. Зміна провідності структур "пористий кремній з наночастинками срібла — кремній" при детектуванні перекису водню [Електронний ресурс] / О. Ю. Кутова, М. Г. Душейко, Б. О. Лобода, Т. Ю. Обухова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2018. - № 4. - С. 28-32. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2018_4_6 Попередній перегляд: Завантажити - 944.475 Kb Зміст випуску Цитування
6.	Кутова О. Ю. Вплив додаткового буферного шару на чутливість сенсора СРБ на основі ІСПТ [Електронний ресурс] / О. Ю. Кутова, М. Г. Душейко, М. О. Семененко, Л. А. Столяр, В. І. Тимофєєв // Вісник Вінницького політехнічного інституту. - 2018. - № 5. - С. 98-104. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vvpi_2018_5_15 Запропоновано й досліджено сенсор на основі іон-селективного польового транзистора (ІСПТ) для електронного детектування С-реактивного білка (СРБ). CРБ є маркером виявлення запальних процесів в організмі, а також дозволяє прогнозувати ймовірність виникнення серцево-судинних захворювань. Описано фізико-технологічні та топологічні особливості запропонованого сенсора на основі ІСПТ з підзатворним діелектриком CeO2. Двоокис церію є перспективним матеріалом для використання в якості підзатворного діелектрика для МДН-транзисторів і має низку переваг у порівнянні з плівками двоокису кремнію, який широко використовується для виготовлення ІСПТ. Зокрема, більшу щільність поверхневих чутливих центрів, забезпечує кращу діелектричну ізоляцію структури, менший струм втрат через діелектрик, високу термічну та хімічну стабільність, біосумісність, а також ефективну іммобілізацію біохімічних елементів із застосуванням мембран при створенні біосенсорів. Це пояснюється тим, що сталі гратки кремнію та оксиду церію близькі за значенням, що забезпечує низьку густину поверхневих станів на межі розділу діелектрик-напівпровідник. Проведено порівняльний аналіз експериментальних характеристик сенсора без та з використанням додаткового буферного шару (меланіну). Зображення обох поверхонь одержані за допомогою оптичного мікроскопа майже не відрізняються, за винятком того, що поверхня з меланіном має розвиненішу структуру. На основі цього було зроблено припущення про можливість осідання більшої кількості стрептавідину на поверхню і як результат - більшої кількості утворення пар антиген-антитіло, як однієї з основних реакцій, на яких базується робота біосенсорів. За результатами вимірювань визначено чутливість обох структур сенсорів і встановлено, що чутливість сенсора без додаткового шару становить 92 мВ/(мг/л), а з меланіном 204,4 мВ/(мг/л). Таким чином, шар меланіну підвищує чутливість сенсора більше ніж у 2 рази, а розроблений сенсор може ефективно застосовуватися для виявлення запалення в організмі людини на ранніх стадіях та аналізу ризику виникнення серцево-судинних захворювань, зменшуючи кількість смертельних випадків. Попередній перегляд: Завантажити - 594.576 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
7.	Кутова О. Ю. Швидкий аналіз СРБ з використанням біосенсора на основі ІСПТ [Електронний ресурс] / О. Ю. Кутова, М. Г. Душейко, К. О. Шкель, В. І. Тимофєєв // Вчені записки Таврійського національного університету імені В. І. Вернадського. Серія : Технічні науки. - 2018. - Т. 29(68), № 4(2). - С. 176-180. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sntuts_2018_29(68)_4(2)__34 Попередній перегляд: Завантажити - 275.901 Kb Зміст випуску Цитування
8.	Наконечна О. І. Особливості формування фаз NiCx (x ⩽ 0,33) за умов механохімічного легування сумішей Ni-ВНТ і Ni-графіт [Електронний ресурс] / О. І. Наконечна, Н. М. Білявина, К. О. Іваненко, А. М. Курилюк, М. Г. Душейко, В. А. Макара // Доповіді Національної академії наук України. - 2020. - № 3. - С. 47-54. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/dnanu_2020_3_8 Попередній перегляд: Завантажити - 374.097 Kb Зміст випуску Цитування
9.	Душейко М. Г. Особливості фотолюмінесценції та спектрів пропускання тонких шарів пористого кремнію на діелектричних основах [Електронний ресурс] / М. Г. Душейко, Г. С. Кольцов, Т. Ю. Обухова // Мікросистеми, Електроніка та Акустика. - 2017. - Т. 22, № 6. - С. 6-11. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/eisv_2017_22_6_3 Проведено дослідження спектрів пропускання і фотолюмінісценції шарів пористого кремнію отриманих хімічним травленням із тонких плівок кремнію на основах з полі кору та сапфіру. Показано що характер спектра поглинання таких структур залежить як від умов отримання плівок кремнію так і від матеріалу основи. В результаті дослідження спектрів фотолюмінісценції що збуджувалась УФ-випромінюванням (285 нм) показано, що окрім характерних для пористого кремнію піків в області 600 - 700 нм в тонких шарах пористого кремнію спостерігаються піки в короткохвильовій області. Попередній перегляд: Завантажити - 343.221 Kb Зміст випуску Реферативна БД Цитування
10.	Ліневич Я. О. Синтез та дослідження кремнієвих 1D нанорозмірних структур для застосування в сенсорах освітленності [Електронний ресурс] / Я. О. Ліневич, В. М. Коваль, М. Г. Душейко, М. О. Лакида // Вчені записки Таврійського національного університету імені В. І. Вернадського. Серія : Технічні науки. - 2022. - Т. 33(72), № 4. - С. 327-337. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/sntuts_2022_33(72)_4_52 Попередній перегляд: Завантажити - 735.89 Kb Зміст випуску Цитування
11.	Лапшуда В. А. Резистивні сенсори вологи на основі плівок наноцелюлози для біорозкладної електроніки [Електронний ресурс] / В. А. Лапшуда, Я. О. Ліневич, М. Г. Душейко, В. М. Коваль, В. А. Барбаш // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2022. - № 4-6. - С. 3-9. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2022_4-6_3 Попередній перегляд: Завантажити - 1.827 Mb Зміст випуску Цитування
12.	Лапшуда В. А. Гнучкі сенсори вологості на основі плівок наноцелюлози для біомедичного застосування [Електронний ресурс] / В. А. Лапшуда, В. М. Коваль, М. Г. Душейко, В. А. Барбаш, О. В. Ященко, С. А. Панченко, О. С. Якименко // Перспективні технології та прилади. - 2023. - Вип. 22. - С. 81-90. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ptp_2023_22_14 Попередній перегляд: Завантажити - 900.841 Kb Зміст випуску Цитування
13.	Найдьонов А. О. Вплив матеріалу підкладки на характеристики сенсорів вигину для носимої електроніки [Електронний ресурс] / А. О. Найдьонов, В. М. Коваль, М. Г. Душейко, В. А. Барбаш // Перспективні технології та прилади. - 2023. - Вип. 22. - С. 101-106. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ptp_2023_22_17 Попередній перегляд: Завантажити - 793.164 Kb Зміст випуску Цитування
14.	Душейко М. Ю. Захист локальної мережі від ddos-атак на основі даних мережевого трафіку [Електронний ресурс] / М. Ю. Душейко, I. I. Бобок // Інформатика та математичні методи в моделюванні. - 2023. - Т. 13, № 3-4. - С. 252-258. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Itmm_2023_13_3-4_10 Попередній перегляд: Завантажити - 684.796 Kb Зміст випуску Цитування

Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів

Пам`ятка користувача

Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського